Компания SK hynix сообщила о работе над новой технологией памяти, получившей название High Bandwidth Storage или HBS, предназначенной для повышения производительности искусственного интеллекта в мобильных устройствах. Решение объединяет в одном корпусе до 16 слоев чипов DRAM и флеш-памяти NAND.
Ключевой особенностью HBS является использование передовой технологии упаковки Vertical Fan-Out, или VFO, которую компания представила в 2023 году. В отличие от традиционных методов с изогнутыми проводниками, VFO соединяет вертикально расположенные чипы прямыми линиями. Такой подход сокращает путь прохождения сигнала, что минимизирует задержки и потери при передаче данных. Кроме того, технология позволяет увеличить количество каналов ввода-вывода, повышая общую производительность и энергоэффективность.
Важное преимущество HBS перед памятью типа HBM, используемой в ускорителях для ИИ, заключается в отсутствии необходимости применять сквозные кремниевые переходники, известные как TSV. Отказ от этого сложного и дорогостоящего процесса позволяет снизить производственные затраты и увеличить выход годной продукции, что делает HBS более подходящей для массового рынка смартфонов и планшетов.
Ожидается, что новая память будет интегрироваться в единый модуль вместе с мобильными процессорами. Хотя официальных анонсов о поддержке еще не было, в качестве одной из потенциальных платформ для внедрения HBS рассматривается чипсет Snapdragon 8 Gen 6 Pro, для которого, по слухам, будет заявлена совместимость со стандартами LPDDR6 и UFS 5.0. Разработка направлена на устранение узких мест в производительности, с которыми сталкиваются современные устройства при работе с локальными ИИ-моделями.
